Le banc d'essai de capteurs photoélectriques GL998G est un instrument d'expérimentation pédagogique photoélectrique développé par notre société pour répondre aux besoins d'enseignement de la photoélectrique en optoélectronique, ingénierie de l'information, technologie électronique physique et autres disciplines. Il constitue l'équipement de base pour la réalisation d'expériences sur les caractéristiques et les applications des dispositifs photosensibles et des capteurs photoélectriques, ainsi que l'instrument expérimental de base en technologie optoélectronique.
GL998G banc d'essai de capteurs photoélectriques
Le banc d'essai de capteur photoélectrique GL998G est un instrument d'expérimentation pédagogique photoélectrique développé par notre société pour répondre aux besoins d'enseignement de la photoélectrique dans des disciplines telles que l'optoélectronique, l'ingénierie de l'information et la technologie électronique physique. Il constitue l'équipement de base pour la réalisation d'expériences sur les caractéristiques et les applications des dispositifs photosensibles et des capteurs photoélectriques, ainsi que l'instrument expérimental de base en technologie optoélectronique.
Ⅰ、Configuration du banc d'essai du capteur photoélectrique GL998G
1. Photocellule silicium (VOC : 300 mV, ID < 1×10-8 μA, ISC : 5 μA, λ : 300-1 000 nm, λp : 880 nm)
2. Photodiode (Vr : 20 V, ID < 0,1 μA, IL : 50 μA, tr tf : 10 ns, λp : 880 nm)
3. Phototransistor (VCEO : 50 V, ID < 0,1 μA, IL : 5 mA, tr tf : 15 ns, λp : 880 nm)
4. Photorésistance (photorésistance cds, puissance nominale : 100 mW, résistance d'obscurité ≥ 1 MΩ, tr 20 ms, tf 30 ms, λp : 580 nm)
5. Optocoupleur réflectif (entrée : IFM = 20 mA, VR = 5 V, VF = 1,3 V, sortie : VCEO = 30 V, ICEO = 0,1 μA, VCES = 0,4 V, caractéristiques de transmission : CTR (%) = 5, tr tf : 5 µs)
6. Sonde pyroélectrique infrarouge
7. Sonde de luxmètre
8. Fibre optique de type Y
9. Laser à semi-conducteur (longueur d’onde : 635 µm, puissance : 1 à 3 mW)
10. Lampe à incandescence ordinaire
11. Diode électroluminescente ordinaire
12. Diode électroluminescente infrarouge (VR : 5 V, VF : 1,4 V, IR : 10 µA, PO : 2 mW)
13. Position PSD Capteur
Ⅱ、Projet expérimental de banc d'essai de capteur photoélectrique GL998G
1. Expérience sur les caractéristiques des photodiodes
2. Expérience sur les photorésistances
3. Expérience sur les caractéristiques des phototransistors
4. Expérience sur les connaissances de base en photoélectrique
5. Expérience sur les photocellules
6. Expérience sur les commutateurs photoélectriques à transmission
7. Expérience sur les commutateurs photoélectriques à réflexion infrarouge
8. Expérience sur les capteurs de déplacement à fibre optique
9. Expérience sur les capteurs de position PSD
10. Expérience sur la source lumineuse, la modulation et la démodulation de la lumière
11. Expérience sur les capteurs infrarouges pyroélectriques
Version PC synchrone :
GL998G banc d'essai de capteurs photoélectriques http://fr.biisun.hfcfwl.com/home/category/detail/id/129.html